STW26NM60N 集成電路IC
發(fā)布時(shí)間：2019/5/8
STW26NM60N介紹：
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 165 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Qg-柵極電荷: 60 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 140 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: MDmesh
封裝: Tube
高度: 20.15 mm
長(zhǎng)度: 15.75 mm
系列: STW26NM60N
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
類型: Power MOSFET
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): STMicroelectronics
下降時(shí)間: 50 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 25 ns
工廠包裝數(shù)量: 30
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 85 ns
典型接通延遲時(shí)間: 13 ns
單位重量: 38 g
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
公司所銷(xiāo)售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(愛(ài)特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國(guó)仿真器件(ADI)、國(guó)際整流器(IR)、臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國(guó)美商半導(dǎo)體(AMD)、愛(ài)特梅爾(Atmel）、安捷倫;
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司，全球最專業(yè)的配單專家。一手貨源!價(jià)格優(yōu)勢(shì)！所出的物料，絕對(duì)原裝正品！
放心購(gòu)買(mǎi)！本公司為一般納稅人，可開(kāi)13%增值稅票！歡迎垂詢！
地址：深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟201.
