IRFD220 配單專家，F(xiàn)AE技術(shù)支持
發(fā)布時(shí)間：2019/4/28
IRFD220介紹：
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: HVMDIP-4
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 800 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 800 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1000 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 3.4 mm
長(zhǎng)度: 5.02 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.29 mm
商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild
下降時(shí)間: 30 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 30 ns
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 50 ns
典型接通延遲時(shí)間: 20 ns
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