晶體管 SI7450DP-T1-E3 MOSFET - 單
發布時間：2018/10/15
SI7450DP-T1-E3介紹：
描述 MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
制造商標準提前期 33 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 200V 3.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3.2A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 80 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 42nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PowerPAK? SO-8
封裝/外殼 PowerPAK? SO-8
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管的低成本，靈活性和可靠性使得其成為非機械任務的通用器件，例如數字計算。在控制電器和機械方面，晶體管電路也正在取代電機設備，因為它通常是更便宜，更有效地僅僅使用標準集成電路并編寫計算機程序來完成同樣的機械任務，使用電子控制，而不是設計一個等效的機械控制。
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