晶體管 FDT458P MOSFET - 單
發布時間：2018/10/9
FDT458P介紹：
描述 MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223
制造商標準提前期 20 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 30V 3.4A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3.4A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 130 毫歐 @ 3.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 3.5nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 205pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-223-4
封裝/外殼 TO-261-4，TO-261AA
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