晶體管 SIR164DP-T1-GE3 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/9/29
SIR164DP-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 27 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 50A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 2.5 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 123nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 3950pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 5.2W（Ta），69W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK? SO-8
封裝/外殼 PowerPAK? SO-8
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。
因?yàn)椴娮琛⒐鈶?yīng)力材料和應(yīng)變計(jì)的市場相對(duì)比較小，公司決定拓展高容量電阻業(yè)務(wù)。 從1985年開始，威世收購了達(dá)勒電子(dale Electronics)、迪勞瑞電子( Draloric Electronics)和思芬尼(Sfernice)。這些收購使得公司的銷售獲得了極大的增長。?
