晶體管 ULN2066B 雙極 (BJT) - 陣列
發(fā)布時間：2018/9/3
ULN2066B介紹：
描述 TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
制造商標準提前期 38 周
詳細描述 Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列
制造商 STMicroelectronics
系列 -
包裝 管件
零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 4 NPN 達林頓（雙）
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 1.75A
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 1.4V @ 2mA，1.25A
電流 - 集電極截止（最大值） -
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） -
功率 - 最大值 1W
頻率 - 躍遷 -
工作溫度 -20°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 16-PowerDIP（0.300"，7.62mm）
供應商器件封裝 16-PowerDIP（20x7.10）
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。
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