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晶體管 FDN306P MOSFET - 單

發布時間:2018/8/31

FDN306P介紹:
描述 MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
制造商標準提前期 42 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 12V 2.6A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝   帶卷(TR)  
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 12V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 2.6A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 40 毫歐 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1138pF @ 6V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SuperSOT-3
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
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晶體管因為有三種極性,所以也有三種的使用方式,分別是發射極接地(又稱共射放大、CE組態)、基極接地(又稱共基放大、CB組態)和集電極接地(又稱共集放大、CC組態、發射極隨隅器)。

 2007年預計22億美元的收入 模擬及混合信號技術與設計的領先供應商 電源管理業界的領先供應商 汽車產品領先供應商 醫療、軍事/航空和工業等終端市場應用的領先定制產品 世界級、高產量、高性價比的制造 汽車、計算、消費和通信等終端市場應用的領先標準產品
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