晶體管 IRFP264PBF MOSFET -單
發(fā)布時(shí)間：2018/8/30
IRFP264PBF介紹：
描述 MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 18 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 250V 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 250V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 38A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 75 毫歐 @ 23A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 210nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 280W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-247-3
封裝/外殼 TO-247-3
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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。
在二十世紀(jì)五十年代，物理學(xué)家同時(shí)也是現(xiàn)任威世公司的主席和首席技術(shù)及業(yè)務(wù)拓展主管Felix Zandman博士獲得了PhotoStress®涂層和儀表的專(zhuān)利。
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