晶體管 IPP030N10N3GXKSA1 FET-MOSFET
發布時間：2018/8/8
?IPP030N10N3GXKSA1介紹：
描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
詳細描述 通孔 N 溝道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 275μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 206nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 14800pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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MOSFET依照其"通道"(工作載流子)的極性不同，可分為"N型"與"P型" 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。?
