晶體管 NTD24N06 MOSFET - 單
發布時間：2018/7/6
NTD24N06介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 20 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 60V 24A（Ta） 1.36W（Ta），62.5W（Tj） DPAK
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 24A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 45 毫歐 @ 10A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 5V
Vgs（最大值） ±15V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1140pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.36W（Ta），62.5W（Tj）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 DPAK
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極 (Base) 和集電極（Collector）；場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
